专利详情

专利名称	一种制备交叉结构有机分子器件的方法
申请号	CN200710062984.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101232077	公开（授权）日	2008.07.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	涂德钰;刘明;谢常青;朱效力;贾锐
主分类号	H01L51/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/00(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I
专利有效期	一种制备交叉结构有机分子器件的方法至一种制备交叉结构有机分子器件的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一种制备交叉结构有机分子器件的方法，该方法包括：A.在基片表面上淀积电介质薄膜；B.在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，利用X射线光刻和显影在抗蚀剂上得到电极图形；C.淀积金属，剥离得到下电极金属图形； D.生长有机分子薄膜；E.淀积上电极金属材料；F.旋涂抗蚀剂，X射线光刻并显影，得到上电极图形；G.以抗蚀剂为掩蔽刻蚀，得到上电极； H.去胶，完成交叉有机分子器件的制备。利用本发明，有效地改善了交叉结构有机分子器件的制备。