专利详情

专利名称	单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
申请号	CN200710062978.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101232050	公开（授权）日	2008.07.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;肖红领;杨翠柏;胡国新;冉学军;王翠梅;张小宾;李建平;李晋闽
主分类号	H01L31/042(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/042(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法至单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂In_xGa_1-xN层，该n型掺杂In_xGa_1-xN 层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n 型掺杂层是In_xGa_1-xN p-n结的一部分；一p型掺杂 InxGal-xN层，该p型掺杂In_xGa_1-xN层制作在n型掺杂In_xGa_1-xN层的上面，该p型掺杂层是In_xGa_1-xN p-n 结的一部分。