专利详情

专利名称	高密度相变存储器的结构与制备的工艺
申请号	CN200810033926.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101232038	公开（授权）日	2008.07.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;刘波;宝民;丁晟;刘卫丽;封松林
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	高密度相变存储器的结构与制备的工艺至高密度相变存储器的结构与制备的工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及到相变存储芯片(PCRAM)的高密度相变存储单元结构、三维电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现PCRAM芯片存储阵列的高密度，通过三维立体布局设计，把基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的外围电路放在存储阵列的下面，上述外围电路晶片通过CMP(化学机械抛光) 工艺实现平坦化。对P型或N型硅片进行外延技术形成N/P(或P/N)结，通过对准装置实现该硅片与上述CMOS硅片的低温键合，通过晶片剥离技术或背面减薄的技术实现CMOS片上的整片N/P(或P/N)结，接着在其之上制备可逆相变电阻，之后采用Cu互联，最后通过常规的封装技术实现整个芯片；从而整体实现三维立体1R1D芯片结构。