生长氮化铟单晶薄膜的方法
- 申请号：CN200710062979.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101230487
- 公开(公开)日：2008.07.30
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 生长氮化铟单晶薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN200710062979.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101230487 | 公开（授权）日 | 2008.07.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;肖红领;胡国新;杨翠柏;冉学军;王翠梅;张小宾;李建平;李晋闽 |
| 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 生长氮化铟单晶薄膜的方法 至生长氮化铟单晶薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征 在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2： 采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层 成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤 3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生 长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度， 提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉 积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单 晶薄膜表面平整，晶体质量高。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言