专利详情

专利名称	一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法
申请号	CN200710086512.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101230485	公开（授权）日	2008.07.30
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	陈创天;刘丽娟;李如康;王晓洋
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I
专利有效期	一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法至一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种去除紫外吸收的含铝光学晶体生长方法，将高纯度含Al、B和M化合物与 NaF混配后置入坩埚中，M为K、Na、Rb、Ca、Sr、Ba、Y或Yb；升温至完全熔化；转移至密闭的还原性气体氛围生长炉中生长；在饱和温度以上5～20℃引入籽晶，恒温10～30分钟后，降至饱和温度；待晶体长至所需尺度，使晶体脱离液面，以不大于30℃/h速率降至室温，取出晶体。该方法采用高纯度原料并在还原性气体氛围中生长晶体，有效地消除了晶体在紫外区域的非本征吸收，266nm吸收系数降至0.1cm^-1以下，为在Nd-基激光四倍频266nm和频193nm谐波光输出器件的应用扫清了障碍。