专利详情

专利名称	掺碳蓝宝石晶体的生长方法
申请号	CN200710047628.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101230484	公开（授权）日	2008.07.30
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	杨新波;徐军;李红军;赵广军;周国清;苏良碧
主分类号	C30B29/20(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	掺碳蓝宝石晶体的生长方法至掺碳蓝宝石晶体的生长方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种掺碳蓝宝石晶体的生长方法，特点是采用导向温梯法生长α-Al₂O₃:C 晶体，工艺流程如下：①称取一定质量的α-Al₂O₃，在其中加入100～5000ppm 的石墨，充分搅拌混合均匀；②在温梯炉钼坩埚籽晶槽处放入定向蓝宝石籽晶，将混合好的粉料均匀放入坩埚内，盖上坩埚盖；③装炉，抽真空至5× 10-3Pa，持续升温至2080℃，恒温0.5～1小时，然后以3～5℃/小时的速率降温到室温，打开炉罩，取出晶体。本发明方法直接生长的α-Al₂O₃:C晶体具有优良的热释光性能，晶体质量良好，可以用于制造高灵敏度的热释光探测器。