专利详情

专利名称	采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
申请号	CN200710173110.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101229912	公开（授权）日	2008.07.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王新中;于广辉;雷本亮;林朝通;王笑龙;齐鸣
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法至采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜，而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中，先在GaN模板上沉积一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝，接着电子束蒸发一层金属Ni 层，然后用碱溶液去除阳极氧化铝。由于阳极氧化铝的孔排列和孔径大小分布都很均匀，这样就在GaN模板上得到了金属Ni纳米粒子的点阵。然后把这个模板置于感应耦合等离子体或反应离子刻蚀的反应腔中进行刻蚀，最后再用酸去除Ni纳米粒子就得到了GaN纳米线阵列。提供的方法简单易行，所制作的GaN纳米线阵列也适合于如LED或LD光电器件的制作。