专利详情

专利名称	硅基核壳纳米线光伏电池及其制备工艺
申请号	CN201110219803.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102280588A	公开（授权）日	2011.12.14
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	吕文辉;陈立桅
主分类号	H01L51/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	硅基核壳纳米线光伏电池及其制备工艺至硅基核壳纳米线光伏电池及其制备工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底，该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层，其底面上设有金属背电极，该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结，该异质结上设有ITO顶电极。进一步的，该有机导电聚合物包括PEDOT:PSS。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成，纳米线高度为3-5μm，衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为：采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列，然后与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线异质结，最后在硅衬底底面和异质结上分别组装金属背电极和ITO顶电极。本发明光伏电池原料用量少，成本低廉，转换效率高，且制备工艺简洁。