专利详情

专利名称	常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法
申请号	CN201110153979.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102276260A	公开（授权）日	2011.12.14
申请（专利权）人	中国科学院唐山高新技术研究与转化中心	发明（设计）人	刘得顺;王福;杨连弟;王京甫;徐锦标;郭金砚;邹艺峰
主分类号	C04B35/596(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/596(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法至常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法，其以β-氮化硅为原料，加入烧结助剂后配制成混合粉料；混合粉料在常压氮气氛下进行液相烧结；所述的烧结助剂由下述重量百分比的成分组成：MgO25～35%、CeO210～20%、AlPO45～10%、Y2O310～20%、Li2CO325～35%。本方法采用产量高，廉价易得的β-氮化硅粉；较之昂贵的高纯α-氮化硅粉料，成本大为降低。本方法是在常压氮气氛下液相烧结，烧结温度在1600℃以内，对设备要求较低，从而降低了设备成本。本方法所得氮化硅陶瓷制品的相对密度≥98%。抗弯强度达600～700MPa，压痕硬度达7～8GPa。