专利详情

专利名称	用于相变存储器的过渡层
申请号	CN200810032862.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101226989	公开（授权）日	2008.07.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	用于相变存储器的过渡层至用于相变存储器的过渡层	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在10^-6欧姆米和10¹⁶欧姆米之间，过渡层材料的热导率在0.01W/m·k到30W/m·k之间。过渡层的厚度＜10nm，且与相变材料或电极材料间具有黏附力。所述的单层或多层结构的过渡层可有效阻地挡相变材料和电极间的相互扩散，提升电极的加热效率，同时减少了向电极和氧化物的扩散的热量，使更多的热量被用在相变材料加热上。不仅提高了热量的利用率，降低了功耗，而且增加了相变存储器高、低阻间的差异；将相变材料中的最高温度区域向加热电极移动，有效将相变材料的熔化控制在电极周围，提升了器件的可靠性。