专利详情

专利名称	高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
申请号	CN200710063375.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101221984	公开（授权）日	2008.07.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐静波;张海英;叶甜春;尹军舰
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/201(2006.01)I
专利有效期	高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料至高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复合沟道MHEMT材料，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的晶格应变层In_xAl_1-xAs、沟道下势垒层In_0.52Al_0.48As、沟道层掺杂InP、沟道层不掺杂InP、沟道层In_0.53Ga_0.47As、空间隔离层In_0.52Al_0.48As、平面掺杂层、势垒层In_0.52Al_0.48As和高掺杂盖帽层In_0.53Ga_0.47As构成。利用本发明，结合了In_0.53Ga_0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量以及高饱和速率的特性，解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺点，达到了既提高源漏击穿电压，又保证器件具有优越的毫米波频率特性的目的。