专利详情

专利名称	透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法
申请号	CN200710179537.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101221882	公开（授权）日	2008.07.16
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	刘开辉;白雪冬;王恩哥
主分类号	H01J37/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01J37/20(2006.01)I;G01N13/10(2006.01)I
专利有效期	透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法至透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种用于性质测量的透射电子显微镜样品台转接头及与其配套使用的基片和基片的制造方法。本发明的优势在于，通过精密的机械加工和完整半导体工艺流程制作了一个通用的TEM样品台转接头，把TEM对材料微观结构的表征能力和基片作为载体对材料性质的测量能力很好地结合了起来。基片上样品完成在TEM中微观结构表征以后，把基片取出放入其它任何可以兼容基片的性质测量设备，可以测量材料的力学、电学、光学、热学等性质。同时，利用狭缝自有的边角作为标记，可以保证TEM结构表征和性质测量的为同一微小区域，从而可以把材料微观结构和性质真正地直接联系起来。另外，也可以先进行性质测量，再进行TEM结构表征。