专利详情

专利名称	具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
申请号	CN200710063352.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101221849	公开（授权）日	2008.07.16
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	韩宇男;温振超;杜关祥;赵静;刘东屏;韩秀峰
主分类号	H01F10/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01F10/08(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;G11B5/673(2006.01)I
专利有效期	具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途至具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种具有几何形状的磁性多层膜，包括沉积在衬底上的磁性多层膜单元的各层；所述的磁性多层膜单元的横截面呈多边形闭合环状，该磁性多层膜单元中的具有铁磁性的薄膜层的磁矩或磁通量形成顺时针或逆时针的闭合状态。还包括在上述多边形闭合环状的磁性多层膜的几何中心位置设置金属芯，该金属芯的横截面为相应的多边形。还涉及用闭合的含(或不含)金属芯的磁性多层膜制作的磁性存储器。本发明利用微加工方法制备所述的闭合形状的磁性多层膜。本发明的闭合含(或不含)金属芯多边形闭合环状的磁性多层膜能够广泛应用于以磁性多层膜为核心的各种器件，例如，磁性随机存取存储器，计算机磁读头，磁敏传感器，磁逻辑器件和自旋晶体管等。