专利详情

专利名称	用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
申请号	CN200810033251.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101220477	公开（授权）日	2008.07.16
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	赵守仁;陆修来;魏彦锋;陈新强;杨建荣;丁瑞军;何力
主分类号	C23F11/04(2006.01)I	IPC主分类号	C23F11/04(2006.01)I
专利有效期	用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法至用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H₂O∶HCl∶HNO₃∶HF∶K₂Cr₂O₇∶CrO₃＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶ 0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g。所说的II-VI族半导体材料为Zn_yCd_1-yTe体材料和以其为衬底外延生长的Hg_1-xCd_xTe薄膜材料。腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理，位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg_1-xCd_xTe薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd_1-yZn_yTe的位错腐蚀坑，这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。