专利详情

专利名称	钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
申请号	CN200710172321.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101220466	公开（授权）日	2008.07.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	林朝通;于广辉;雷本亮;王新中;王笑龙;齐鸣
主分类号	C23C16/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/34(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法至钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N₂气氛下经热退火后就形成了GaN纳米线。金属钨薄膜的引入，作用是生长GaN纳米线的催化剂，在高温下金属W会发生团聚同时下层的GaN会分解使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，同时分生成的金属Ga 和N原子在金属W催化剂的作用下又合成细长的GaN纳米线。这种方法简单易行，仅需要沉积或溅射一层薄薄的金属W层，适合于科学实验和批量生产时采用。