专利详情

专利名称	研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法
申请号	CN200910236733.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101979450A	公开（授权）日	2011.02.23
申请（专利权）人	北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张贺;娄艳芳;胡伯清;王锡铭;彭同华;陈小龙
主分类号	C09G1/02(2006.01)I	IPC主分类号	C09G1/02(2006.01)I;B24B29/00(2006.01)I
专利有效期	研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法至研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了一种用于高质量研磨碳化硅晶片的研磨液、研磨液的制备方法以及使用该研磨液的研磨方法。该研磨液由去离子水、金刚石粉、甘油、防锈剂和添加剂配制而成。利用此方法配制的研磨液气味清新，分散均匀，状态稳定，基本无沉淀，可循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，且无明显划痕，可高效防止上下研磨盘生锈。该研磨液的使用循环次数，可以通过改变加入添加剂的量或者不同添加剂的比例来调节。