专利详情

专利名称	一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法
申请号	CN201010546602.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101979315A	公开（授权）日	2011.02.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心	发明（设计）人	夏洋;饶志鹏;刘键
主分类号	C01B31/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/04(2006.01)I
专利有效期	一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法至一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的碳源气体与通入的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的副产物，直到碳化硅衬底表面的碳源气体完全消耗；所述卤代反应停止后，相应的副产物经过光照在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备石墨烯薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的石墨烯薄膜结构完整，厚度均一，并为单原子层厚度。