专利详情

专利名称	一种限制结构相变存储器及其制作方法
申请号	CN201210328341.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102832338A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	任堃;饶峰;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	一种限制结构相变存储器及其制作方法至一种限制结构相变存储器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种限制结构相变存储器及其制作方法，所述限制结构相变存储器包括相变存储阵列、具有阈值电压开关特性的硫系化合物开关层、以及分别连接于相变存储阵列及硫系化合物开关层的字线及位线。所述硫系化合物开关层在达到阈值电压之前处于高电阻状态，起到关电路的作用，当电压超过阈值电压之后，材料进入低电阻态，起到开启电路的作用。这种硫系化合物做成薄膜之后仍然具有阈值电压开关特性，并且这类薄膜的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容。利用硫系化合物材料薄膜作为选通开关的相变存储器的制备具有步骤少，工艺简单的特点。同时，利用硫系化合物薄膜制备的选通开关所占体积小，有利于提高芯片的存储密度，提高信息容量和降低成本。