专利详情

专利名称	半导体结构及其制作方法
申请号	CN201110126832.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102790006A	公开（授权）日	2012.11.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	骆志炯;尹海洲;朱慧珑
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制作方法至半导体结构及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置电介质材料层，并在该电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由开口，外延生长第二半导体层，第二半导体层填充开口且覆盖电介质材料层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同；以及在第二半导体层中形成隔离区，以限定至少一个选择性SOI区，选择性SOI区包括SOI部分以及体接触部分，体接触部分夹于SOI部分之间，SOI部分位于电介质材料层上，体接触部分位于第一半导体层上。根据本发明，提供了一种异质选择性SOI结构，既能够减小异质外延时的生长缺陷，又能够提供选择性SOI配置的优点。