专利详情

专利名称	一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用
申请号	CN201210312929.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102826536A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	张劲松;姜春海;杨晓丹;许卫刚
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I;C01B33/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用至一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于均相碳硅有机先驱粉体的制备技术领域，具体地说为一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用，解决硅酸乙酯与酚醛树脂直接混合时容易分相，无法得到均相碳硅有机先驱粉体的问题。将酚醛树脂和正硅酸乙酯按一定比例溶于有机溶剂，并以乙酸作为水解抑制剂，置于密闭反应釜中，在100~250℃自生压力下溶剂热聚合4~10小时；将聚合产物烘干、研磨后即可制备得到纳米尺度、粒度均一且具有良好分散性的均相碳硅有机先驱粉体。利用本发明制得的均相碳硅有机先驱粉体，可采用碳热还原反应制备碳化硅超细粉体，或者直接在空气气氛下煅烧制备纳米二氧化硅粉体，或者采用先碳化再化学腐蚀去除二氧化硅的方法制备多孔碳粉，用途广泛。