一种源漏区
- 申请号：CN201190000053.3
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202585380U
- 公开(公开)日：2012.12.05
- 法律状态：
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种源漏区 | ||
| 申请号 | CN201190000053.3 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202585380U | 公开（授权）日 | 2012.12.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种源漏区 至一种源漏区 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 一种源漏区，包括：第一区，至少部分厚度的所述第一区位于衬底内；第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。一种源漏区的形成方法，包括：在衬底中位于栅堆叠结构两侧形成沟槽；形成第一半导体层，至少部分所述第一半导体层填充所述沟槽；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同。还提供了一种接触孔及其形成方法。可增加接触孔与接触区的接触面积，减小接触电阻。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言