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一种高价离子的产生装置

  • 申请号:CN201120533550.1
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN202585323U
  • 公开(公开)日:2012.12.05
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 一种高价离子的产生装置
申请号 CN201120533550.1 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202585323U 公开(授权)日 2012.12.05
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 发明(设计)人 李海洋;赵无垛;曲丕丞;王卫国;谢园园
主分类号 H01J37/08(2006.01)I IPC主分类号 H01J37/08(2006.01)I;H01J49/10(2006.01)I
专利有效期 一种高价离子的产生装置 至一种高价离子的产生装置 法律状态
说明书摘要 本实用新型公开了一种高价离子的产生装置,该装置通过激光聚焦后打在团簇上产生高价离子。该装置包括样品池、电磁脉冲阀、束源室、差分小孔、电离室和脉冲激光光源;束源室和电离室均为中空的密闭箱体,束源室和电离室的一侧壁面相贴接,管路一端接高压气源,另一端伸入束源室内,于束源室内的管路出口端设有电磁脉冲阀,管路出口面向束源室和电离室贴接的一侧壁面,管路出口正前方的束源室壁面上设有与电离室相通的差分小孔;电离室的侧壁上设有光窗,并于光窗外设有脉冲激光光源,激光光源发出的激光通过光窗进入电离室内;束源室和电离室上均设有排气口;脉冲发生器通过导线与电磁脉冲阀和脉冲激光光源连接。

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