一种半导体结构
- 申请号：CN201190000063.7
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202721108U
- 公开(公开)日：2013.02.06
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体结构 | ||
| 申请号 | CN201190000063.7 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202721108U | 公开（授权）日 | 2013.02.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体结构，包括，位于有源区上的至少两个相邻的栅堆叠或伪栅堆叠、源极侧侧墙以及漏极侧侧墙，其中：所述源极侧侧墙和漏极侧侧墙位于所述栅堆叠或伪栅堆叠的侧壁，其特征在于：对于每个所述栅堆叠或伪栅堆叠，所述源极侧侧墙的厚度小于所述漏极侧侧墙的厚度；在所述源极侧侧墙和漏极侧侧墙以及所述栅堆叠或伪栅堆叠暴露的有源区的上表面存在接触层，所述接触层为CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合，且所述接触层的厚度小于10nm。利于降低源极延伸区的接触电阻，同时还可以降低栅极和漏极延伸区之间的寄生电容。 | ||
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