一种半导体结构
- 申请号：CN201190000064.1
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202721115U
- 公开(公开)日：2013.02.06
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体结构 | ||
| 申请号 | CN201190000064.1 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202721115U | 公开（授权）日 | 2013.02.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、栅极堆叠、第一介质层、第二介质层和接触塞，其中：所述源/漏区嵌于所述衬底中；所述栅极堆叠形成在所述衬底之上；所述第一介质层覆盖所述源/漏区，所述第二介质层覆盖所述第一介质层或者所述第一介质层和所述栅极堆叠；所述接触塞嵌于所述第一介质层和所述第二介质层中，嵌于所述第二介质层中的所述接触塞的截面面积小于嵌于所述第一介质层中的所述接触塞的截面面积。所述半导体结构还包括接触层，所述接触层接于所述源/漏区且只夹于所述接触塞与所述源/漏区之间。利于减小接触电阻。 | ||
交易流程
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专利 -
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