表面增强拉曼散射基底
- 申请号：CN201220016722.2
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学技术大学
- 公开(公开)号：CN202710478U
- 公开(公开)日：2013.01.30
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 表面增强拉曼散射基底 | ||
| 申请号 | CN201220016722.2 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202710478U | 公开（授权）日 | 2013.01.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 温晓镭;王沛;张斗国;鲁拥华;明海 |
| 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01)I |
| 专利有效期 | 表面增强拉曼散射基底 至表面增强拉曼散射基底 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公布了一种表面增强拉曼散射基底，涉及分子探测与识别技术和金属微纳结构制备方法。该类表面增强拉曼散射基底由具有纳米级间隙的金属微纳结构组成，在间隙内存在表面等离子体激元局域场耦合效应；具体形式包括：Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系、Ag纳米颗粒与Ag纳米小孔阵列耦合体系、Ag纳米球帽与Ag纳米小孔耦合体系。该制备方法包括湿化学法和真空热蒸镀法。本实用新型该类表面增强拉曼散射基底的制备方法安全简便，不需要复杂的设备，成本低，结构稳定可控，重复率高，同时能提供高增强因子。 | ||
交易流程
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