专利详情

专利名称	多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法
申请号	CN200910312391.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102109570A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	蒲颜;王亮;袁婷婷;欧阳思华;刘新宇
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I
专利有效期	多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法至多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。