专利详情

专利名称	一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法
申请号	CN201210124792.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102637787A	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李盼盼;李鸿渐;张逸韵;李志聪;梁萌;李璟;王国宏
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法至一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。