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一种ESD防护电阻

  • 申请号:CN201120565124.6
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN202373579U
  • 公开(公开)日:2012.08.08
  • 法律状态:专利申请权、专利权的转移
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种ESD防护电阻
申请号 CN201120565124.6 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202373579U 公开(授权)日 2012.08.08
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 曾传滨;李多力;海潮和;李晶;罗家俊;韩郑生
主分类号 H01L23/60(2006.01)I IPC主分类号 H01L23/60(2006.01)I
专利有效期 一种ESD防护电阻 至一种ESD防护电阻 法律状态 专利申请权、专利权的转移
说明书摘要 本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离,使得当通过电阻的ESD电流越大时,电阻越大,电阻承载的电压降越大,限流能力也越好。

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