一种ESD防护电阻
- 申请号:CN201120565124.6
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN202373579U
- 公开(公开)日:2012.08.08
- 法律状态:专利申请权、专利权的转移
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专利详情
专利名称 | 一种ESD防护电阻 | ||
申请号 | CN201120565124.6 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN202373579U | 公开(授权)日 | 2012.08.08 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 曾传滨;李多力;海潮和;李晶;罗家俊;韩郑生 |
主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
专利有效期 | 一种ESD防护电阻 至一种ESD防护电阻 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 |
说明书摘要 | 本实用新型公开了一种ESD防护电阻,属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离,使得当通过电阻的ESD电流越大时,电阻越大,电阻承载的电压降越大,限流能力也越好。 |
交易流程
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专利 -
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