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用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁

  • 申请号:CN200410066491.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN1587024
  • 公开(公开)日:2005.03.02
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁
申请号 CN200410066491.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1587024 公开(授权)日 2005.03.02
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 李昕欣;韩建强;鲍敏杭;杨恒;沈绍群;王跃林
主分类号 B81C1/00 IPC主分类号 B81C1/00;B81C5/00;G12B21/08
专利有效期 用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁 至用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术 实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在 腐蚀过程中,探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀,而梁采用无掩膜 腐蚀技术腐蚀,当探针针尖的直径达到预定值时,梁的厚度达 到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型 AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点。(1)制作工艺简 单:仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺,对工 艺设备要求较低、简便易行,降低了产品成本,提高了成品率; (2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面,与重掺杂自 停止腐蚀形成的表面相比更平整,光反射率高;(3)以二氧化硅 埋层为腐蚀自停止层,与重掺杂自停止方法相比,对梁厚度的 控制更为精确。

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