专利详情

专利名称	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
申请号	CN200410053351.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1587438	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍
主分类号	C23C16/00	IPC主分类号	C23C16/00;C23C14/34;H01L21/20
专利有效期	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法至氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE 制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN 膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN 层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用， AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。