专利详情

专利名称	相变存储器单元器件的制备方法
申请号	CN200410015743.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1556550	公开（授权）日	2004.12.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;夏吉林;张挺;封松林;陈宝明
主分类号	H01L45/00	IPC主分类号	H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00
专利有效期	相变存储器单元器件的制备方法至相变存储器单元器件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于，首先在衬底材料上沉积底电极材料，再沉积电介质材料，然后通过机械方法，用三棱锥，圆锥等多种形状和钻石，金刚石等不同材料的压头在薄膜上打出小孔，使小孔穿透电介质层，尖头部和底电极材料接触。接着，沉积薄薄一层相变材料，表面抛光。接着使用剥离技术，即涂上光刻胶，曝光显影使小孔露出来，然后沉积上电极材料，去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小，可达几百纳米，所以很小的电流就可以产生很大的热量，使相变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有较小的功耗，很短的响应时间，对于器件的性能有很大的提高。