专利详情

专利名称	亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器
申请号	CN201010244689.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101917174A	公开（授权）日	2010.12.15
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	熊斌;徐德辉;吴国强;王跃林
主分类号	H03H9/24(2006.01)I	IPC主分类号	H03H9/24(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I
专利有效期	亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器至亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器，其特征在于亚微米间隙不是通过光刻定义，而是通过氧化多晶硅薄膜来制作，亚微米间隙的大小由多晶硅薄膜上的间隙和氧化工艺在多晶硅薄膜上生长的氧化硅厚度共同决定，并且直接利用氧化硅作为掩膜，通过刻蚀将亚微米间隙转移到器件结构层上。由于无需亚微米级光刻，工艺难度及工艺成本大大降低，利用氧化硅直接作为掩膜则保证了将亚微米间隙转移到器件结构层上时亚微米间隙具有良好的陡直度。微机械谐振器制作工艺步骤包括氮化硅沉积，多晶硅条形成，多晶硅条氧化，氮化硅刻蚀，引线孔形成，金属引线及焊盘形成，器件结构释放。由于在微机械谐振器的间隙是亚微米级，谐振器的性能得到改善。