专利详情

专利名称	一种黑硅太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201010244858.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101916787A	公开（授权）日	2010.12.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔
主分类号	H01L31/042(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种黑硅太阳能电池及其制备方法至一种黑硅太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种黑硅太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述黑硅太阳能电池包括金属背电极、晶硅、黑硅层、钝化层和金属栅极；金属背电极位于晶硅的背面，黑硅层位于晶硅上，钝化层位于黑硅层上，金属栅极位于钝化层上。所述制备方法包括：对硅片进行预处理；利用等离子体浸没离子注入技术，在预处理后的硅片表面制备黑硅层；在黑硅层上制备发射极，并对发射极进行钝化处理，形成钝化层；分别在单晶硅片的背面和钝化层上制备金属背电极和金属栅极。本发明利用黑硅层作为吸收层，在可见光波段内，电池的平均吸收率较高。