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一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置

  • 申请号:CN03123574.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
  • 公开(公开)号:CN1553284
  • 公开(公开)日:2004.12.08
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置
申请号 CN03123574.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1553284 公开(授权)日 2004.12.08
申请(专利权)人 中国科学院光电技术研究所 发明(设计)人 陈旭南;罗先刚;田宏;石建平
主分类号 G03F7/00 IPC主分类号 G03F7/00;G03F7/20;H01S5/00
专利有效期 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置 至一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装 置,由光源(3)、镜组(2)、反射镜(1)和镜组(4)组成的均匀照明 系统照明掩模,并使接触接近放置的硅片(7)上的抗蚀剂涂层(6) 感光,其特征在于:均匀照明系统的光源(3)是一般波长或长波 长激光,镜组(1)和镜组(4)是聚焦扩束准直均匀照明镜组,在均 匀照明位置放置的掩模是金属掩模(5),它与安放在其下方的高 分辨率抗蚀剂涂层(6)之间距离为0.005-1000μm。本发明用 193-1000nm任意波长激光照明金属掩模,激发金属掩模表面 等离子体,通过等离子波传播,出射小发散角光用于光刻,不 受衍射极限的限制,不需要复杂昂贵的极短波长光源,就可制 作出纳米量级的图形。

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