专利详情

专利名称	一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
申请号	CN200910243520.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101984153A	公开（授权）日	2011.03.09
申请（专利权）人	新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所	发明（设计）人	彭同华;汪波;李龙远;陈小龙;刘春俊;李河清;朱丽娜;吴星;倪代秦;王文军;王刚;王皖燕
主分类号	C30B33/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B33/02(2006.01)I
专利有效期	一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺至一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺	法律状态	授权
说明书摘要	本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小(晶体处温度梯度1-20℃/cm)的退火炉，在压力1万帕以上的惰性气体下用10-50小时升到退火温度，退火温度在2100-2500℃，恒温10-40小时后再用10-50小时降温。通过上述二次退火降低晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力，从而降低后续加工过程中碳化硅晶体破损率，提高碳化硅晶体产率。