
大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途
- 申请号:CN201010553377.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN101984149A
- 公开(公开)日:2011.03.09
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 | ||
申请号 | CN201010553377.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101984149A | 公开(授权)日 | 2011.03.09 |
申请(专利权)人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 潘世烈;陈兆慧 |
主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I |
专利有效期 | 大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 至大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的分子式为Ba2B5O9Cl,采用高温溶液法,以助熔剂生长晶体,该晶体紫外截至边在230nm以下,非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的6倍;该晶体具有倍频效应大,机械强度大,易加工,不潮解等特点,同时制备速度快,操作简单,成本低,所制晶体尺寸大等优点,适用于制作非线性的光学器件。在倍频转换,光参量振荡器等非线性等光学器件中可以得到广泛的应用。 |
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