专利详情

专利名称	一种异质结太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201110263401.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102270668A	公开（授权）日	2011.12.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔
主分类号	H01L31/0216(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I
专利有效期	一种异质结太阳能电池及其制备方法至一种异质结太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，黑硅层位于晶硅上，非晶硅薄膜位于黑硅层上，导电薄膜位于非晶硅薄膜上，金属栅电极位于导电薄膜上。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。本发明通过在黑硅结构上制备非晶硅薄膜，形成异质结太阳能电池，提高了太阳能电池的开路电压和短路电流，进而大大提高了太阳能电池的转化效率。