专利详情

专利名称	一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法
申请号	CN201010195799.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102270736A	公开（授权）日	2011.12.07
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	马勤礼;刘厚方;韩秀峰
主分类号	H01L43/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I
专利有效期	一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法至一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测磁性层具有钉扎结构，用于感应被探测磁场。本发明通过在AFM和FM之间加入插入层减小了直接交换偏置的钉扎效果，并且通过调节该插入层的厚度有效调控间接交换偏置的钉扎效果，以得到在外磁场为零时参考磁性层和探测磁性层的磁矩相互垂直，从而获得具有线性响应的基于GMR或TMR效应的线性磁敏传感器。