专利详情

专利名称	太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置
申请号	CN201110216366.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102270704A	公开（授权）日	2011.12.07
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	王希军
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置至太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置，该方法及装置通过高精度移动平台带动太阳能电池基板作匀速直线运动，使给粉装置送出的超细硅粉均匀覆于基板上；在基板移动过程中，利用高能线激光光束照射基板，使覆于基板表面的硅粉在经过高能线激光光束照射区域时熔融，移出光束区后通过再结晶过程，在基板表面形成硅薄膜。本发明采用高能线激光光束照射硅粉，使硅粉瞬间熔融，当硅粉移出光束区后在自然条件下再结晶得到硅薄膜。与传统的制造方法相比，工艺环节简单，污染小，减小了能耗，降低了劳动强度。