一种多栅指GaN HEMTs
- 申请号：CN201110229091.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102270659A
- 公开(公开)日：2011.12.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种多栅指GaN HEMTs | ||
| 申请号 | CN201110229091.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102270659A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王建辉;刘新宇;王鑫华;庞磊;袁婷婷 |
| 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种多栅指GaN HEMTs 至一种多栅指GaN HEMTs | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种多栅指GaN?HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN?HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为变温栅指的各个栅指之间的距离为Lgg，OUT，i＝Lgg，IN+a(4i3+3i2+i)。在上述基础上对GaN?HEMTs的各个栅指位置进行设计，使得其在工作时，温度最高的栅指的温度降低，即GaN?HEMTs的沟道温度降低，提高了GaN?HEMTs的输出功率，延长了GaN?HEMTs的工作寿命。 | ||
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