专利详情

专利名称	相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法
申请号	CN200310109372.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1547268	公开（授权）日	2004.11.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;张挺;夏吉林;封松林;陈鲍尼
主分类号	H01L45/00	IPC主分类号	H01L45/00;G11C11/56
专利有效期	相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法至相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备 10－400nm的过渡层和50－400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10－500um的掩膜连续溅射约为10－1000nm的合金层以及20－400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一定是柱状，可以为其他形状。