可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液
- 申请号：CN201010189145.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN102268224A
- 公开(公开)日：2011.12.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液 | ||
| 申请号 | CN201010189145.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102268224A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林 |
| 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
| 专利有效期 | 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液 至可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。 | ||
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