专利详情

专利名称	一种相变薄膜材料纳米线的制备方法
申请号	CN200310108864.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1545152	公开（授权）日	2004.11.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00	IPC主分类号	H01L45/00;G11C11/56;H01B13/00;B82B3/00
专利有效期	一种相变薄膜材料纳米线的制备方法至一种相变薄膜材料纳米线的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及相变随机存储器(PRAM)用的相变薄膜材料纳米线的制备方法，属于微电子领域。本发明特征在于，在100nm取向的Si片上，先后用蒸发方法沉积20－100nm的TiO₂或Ti和100－300nm的W；接着在衬底冷却的条件下磁控溅射约为50－300nm的相变薄膜材料；最后在气压为0.5－1Pa氮气或氩气保护下对薄膜进行快速热处理。升温速率为10－30℃/s，保温时间为300－1500s，退火温度高于相变材料的结晶温度，低于熔化温度。在相同的氮气保护气压下自然冷却到室温。对样品进行SEM观测，可以看到相变薄膜材料纳米线的生成过程。本发明有助于通过组装的方法，制备新的纳米量级的相变薄膜材料存储器单元器件，从而促进相变存储器的开发。