专利详情

专利名称	一种SiC单晶生长压力自动控制装置
申请号	CN200310113522.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1544714	公开（授权）日	2004.11.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈小龙;吴星;李河清;倪代秦;胡伯清
主分类号	C30B23/00	IPC主分类号	C30B23/00;C30B29/36
专利有效期	一种SiC单晶生长压力自动控制装置至一种SiC单晶生长压力自动控制装置	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
说明书摘要	本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室内压力，控制单元按设定程序并根据压力传感器的反馈信号自动控制变频器的工作，变频器直接控制真空泵的工作。通过变频器对真空泵进行控制后，因变频器的频率可在0～50之间连续变化，相应地，真空泵的抽速也可在0～额定抽速之间进行连续变化，线性度高，因而压力控制灵敏度高，波动性小，可进行自动控制。