专利详情

专利名称	一种碳化硅晶体生长装置
申请号	CN200310113521.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1544713	公开（授权）日	2004.11.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈小龙;吴星;李河清;倪代秦;胡伯清;李金成
主分类号	C30B23/00	IPC主分类号	C30B23/00;C30B29/36
专利有效期	一种碳化硅晶体生长装置至一种碳化硅晶体生长装置	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
说明书摘要	本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。