专利详情

专利名称	物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
申请号	CN200310113523.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1544715	公开（授权）日	2004.11.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈小龙;吴星;倪代秦;李河清;胡伯清
主分类号	C30B23/00	IPC主分类号	C30B23/00;C30B29/36
专利有效期	物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置至物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置	法律状态	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
说明书摘要	本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法，其步骤为：①保持与现有技术同样的状态参数及控制方式不变；②在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的温度差不变。其中第②步也可为：在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖与坩埚之间的相互位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的距离不变。采用本方法，晶体的生长始终处于最佳驱动力状态，因而克服了现有技术存在的不能生长较大晶体的局限性，而且在实施过程中，操作简便。另外，因晶体一直在稳定一致的外界条件下生长，故其质量得到保障。