专利详情

专利名称	一种熔料补充生长晶体的装置和方法
申请号	CN200310108634.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1544710	公开（授权）日	2004.11.10
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤
主分类号	C30B15/00	IPC主分类号	C30B15/00;C30B15/28
专利有效期	一种熔料补充生长晶体的装置和方法至一种熔料补充生长晶体的装置和方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统 (2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、 9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统相连，排液系统包括排液下降机构(3)、排液导杆(12)和排液模拟体(9)；多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。晶体生长时不向补给坩埚中添加原料，而是通过排液的原理在液体中排开相应体积的熔体到生长坩埚中。本发明的生长方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。