专利详情

专利名称	制造纳米器件的方法
申请号	CN03109529.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1535915	公开（授权）日	2004.10.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子中心	发明（设计）人	刘明;陈宝钦;徐秋霞;郑英葵
主分类号	B82B3/00	IPC主分类号	B82B3/00
专利有效期	制造纳米器件的方法至制造纳米器件的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	一种制造纳米器件的方法，其特征在于，包括：制备电子束和光学曝光机的套刻检测标记掩膜版；基片涂 PMMA抗蚀剂；前烘；电子束曝光；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；蒸发或溅射金属；在丙酮溶液中进行剥离；第二次涂电子束抗蚀剂，胶厚200－ 250nm；前烘；用电子束探测标记边缘的背散射电子的方法，检测基片上的整片标记和每个管芯的小标记，根据测量的值进行修正；二次电子束曝光，加速电压50KV，剂量500uC/cm²，束流100PA；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；光学曝光制作器件的其它图形，最终形成纳米量级器件。