专利详情

专利名称	与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法
申请号	CN02160271.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1514234	公开（授权）日	2004.07.21
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	李华清;蔡新霞;郭增军;崔大付;饶能高
主分类号	G01N27/30	IPC主分类号	G01N27/30;G01N27/26
专利有效期	与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法至与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及与微机电系统(MEMS)工艺兼容的参比电极的制备方法，首先将设计好的版图经微电子工艺形成掩摸板，利用光刻方法形成所需微电极或电极阵列，即可组成电化学测试系统。本发明以贵金属金Au，铂Pt为电极材料，采用微机电系统工艺制作成超微薄膜电极阵列以在生化传感器中的应用为实施例实现了与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法及其应用。本发明具有工艺流程简便、快速、重复性好等优点，易于实现高精度复制和规模化生产，非常适宜于微系统生物酶传感器阵列的制作，适用各种电化学两电极、三电极器件或阵列芯片的参比电极的制备，将在生化传感器、生物芯片以及微系统集成芯片研究开发领域中得到广泛应用。