专利详情

专利名称	一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法
申请号	CN200910238767.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102074489A	公开（授权）日	2011.05.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王亮;蒲颜;袁婷婷;欧阳思华;庞磊;刘果果;魏珂;刘新宇
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;G01R27/26(2006.01)I
专利有效期	一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法至一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。